RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
43
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.5
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
13.5
Скорость записи, Гб/сек
7.7
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
2088
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link