RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
122
Около 65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.4
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
5.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
122
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
9.4
Скорость записи, Гб/сек
7.7
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
1411
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link