RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Kingston 9965596-035.B00G 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.4
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
43
Около -13% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
38
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
7.6
Скорость записи, Гб/сек
7.7
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
1827
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link