Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Micron Technology 16G3200CL22 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Различия

  • Выше скорость записи
    7.7 left arrow 7.3
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 43
    Около -54% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14 left arrow 11.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 12800
    Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    43 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.4 left arrow 14.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.7 left arrow 7.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1823 left arrow 2663
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения