RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
43
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
13.0
Скорость записи, Гб/сек
7.7
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
2757
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link