RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.9
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
25
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
14.6
Скорость записи, Гб/сек
9.8
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
2427
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link