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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Pontuação geral
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
9.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
25
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
9.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2646
2427
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparações de RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Comparações de RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
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Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
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