RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
40
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.8
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
40
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
13.4
Скорость записи, Гб/сек
9.8
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
2495
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link