RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
34
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
34
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.8
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
2763
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Jinyu 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link