Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB против Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    40 left arrow 71
    Около 44% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    7.8 left arrow 6.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость чтения
    15.3 left arrow 12.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    40 left arrow 71
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.3 left arrow 15.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.8 left arrow 6.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1806 left arrow 1767
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения