RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Kingston 9905711-032.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
46
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.0
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
41
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
13.2
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2040
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link