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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
71
Rund um 44% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1806
1767
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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