RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
92
Rund um -318% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
13.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
2989
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M471B5273EB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link