RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
92
Intorno -318% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
22
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
2989
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link