Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

-->

Средняя оценка

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Средняя оценка

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 47

Около 47% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.3 10

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.8 7.5

Среднее значение в тестах

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Причины выбрать
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 47
Скорость чтения, Гб/сек

15.3 10.0
Скорость записи, Гб/сек

9.8 7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2646 2308

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB

Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Kingston 9905734-082.A00G 16GB

Kingston 9905734-082.A00G 16GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB

модули RAM

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905712-016.A00G 16GB

Kingston 9905712-016.A00G 16GB

модули RAM

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB

Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M1A1600C11 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB

Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

INTENSO 5641162 8GB

INTENSO 5641162 8GB

модули RAM