RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
25
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
19.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3890
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link