G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB против Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB

G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    43 left arrow 65
    Около 34% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    6 left arrow 4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,960.1 left arrow 2,451.8
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    43 left arrow 65
  • Скорость чтения, Гб/сек
    6,465.2 left arrow 4,605.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,960.1 left arrow 2,451.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 6400
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1087 left arrow 878
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения