RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Comparar
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB vs Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
65
Por volta de 34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
6
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,960.1
2,451.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
43
65
Velocidade de leitura, GB/s
6,465.2
4,605.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,960.1
2,451.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
6400
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1087
878
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB Comparações de RAM
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link