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G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Confronto
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB vs Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
65
Intorno 34% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,960.1
2,451.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
43
65
Velocità di lettura, GB/s
6,465.2
4,605.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,960.1
2,451.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
6400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1087
878
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB Confronto tra le RAM
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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