G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB vs Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Punteggio complessivo
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G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB

G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB

Punteggio complessivo
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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    43 left arrow 65
    Intorno 34% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    6 left arrow 4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,960.1 left arrow 2,451.8
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    43 left arrow 65
  • Velocità di lettura, GB/s
    6,465.2 left arrow 4,605.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,960.1 left arrow 2,451.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1087 left arrow 878
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