RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
25
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3890
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link