RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
41
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
1832
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link