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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Puntuación global
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
6.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
41
En -37% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2366
1832
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
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