RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
6.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
41
Около -37% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
11.7
Скорость записи, Гб/сек
9.7
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
1832
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
INTENSO 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link