RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
25
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.8
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
2978
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link