Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB против Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB

-->

Средняя оценка

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Средняя оценка

Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB

Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Причины выбрать
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 35

Около 34% меньшая задержка

Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB

Причины выбрать
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18.6 11.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.9 5.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

23 35
Скорость чтения, Гб/сек

11.6 18.6
Скорость записи, Гб/сек

5.6 11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1751 3029

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB

Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Corsair MK16GX44B3000C15 4GB

Corsair MK16GX44B3000C15 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB

модули RAM

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB

Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Kingston XJ69DF-MIE 8GB

Kingston XJ69DF-MIE 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB

модули RAM