Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Corsair MK16GX44B3000C15 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB

Corsair MK16GX44B3000C15 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    21 left arrow 28
    Около -33% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.1 left arrow 12.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.5 left arrow 9.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    16000 left arrow 12800
    Около 1.25 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 21
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.4 left arrow 16.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.6 left arrow 13.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 16000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-16000, 1.2V, TBD1 V, TBD2 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2329 left arrow 3435
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения