RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Note globale
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
28
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
16000
12800
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
21
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
16000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-16000, 1.2V, TBD1 V, TBD2 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2329
3435
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link