RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сравнить
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
31
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
16.6
Скорость записи, Гб/сек
5.6
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1751
2605
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Сравнения RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLGE85F-C8KJ9A 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link