RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Сравнить
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
40
Около 43% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.4
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
40
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
13.4
Скорость записи, Гб/сек
5.6
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1751
2495
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Сравнения RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link