RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
63
Около -125% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.7
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
17.8
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3660
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link