RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
63
En -125% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3660
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link