RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
46
Около 46% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
46
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.5
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3038
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
SK Hynix HMT41GR7MFR4C-PB 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link