RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
45
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.1
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
45
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
14.7
Скорость записи, Гб/сек
10.1
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2556
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link