RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против AMD R7S44G2606U1S 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
25
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.9
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
20
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
18.9
Скорость записи, Гб/сек
10.1
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2707
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link