RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
25
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.8
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
18
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
20.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3402
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link