RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.1
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
18.1
Скорость записи, Гб/сек
10.1
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3693
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link