RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
30
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.3
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2190
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU5-GN-F 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link