RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
76
Около 67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
76
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
13.5
Скорость записи, Гб/сек
10.1
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1587
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link