RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
45
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.9
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
45
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
14.9
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3177
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link