RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
39
Около 36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.2
Скорость записи, Гб/сек
10.1
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2878
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link