RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
30
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3142
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link