RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.2
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
21.2
Скорость записи, Гб/сек
10.1
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3755
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link