RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
62
Около 60% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
62
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
18.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2018
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link