Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 26
    Около 4% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    18.5 left arrow 16.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.1 left arrow 10.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    25 left arrow 26
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.1 left arrow 18.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.1 left arrow 14.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2764 left arrow 3596
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения