RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
25
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.8
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
19
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
18.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2991
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link