RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
25
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2851
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link