RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
25
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2851
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 99U5403-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link