RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.3
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3134
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link