RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
44
Около 43% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
44
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.3
Скорость записи, Гб/сек
10.1
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2523
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link