RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
34
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.2
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3135
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link