RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
14.3
Скорость записи, Гб/сек
10.1
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2086
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link